在極薄的鎳鉻合金材料上采用半導體薄膜蝕刻工藝制程的電阻（2~8Ω），通過(guò)過(guò)載電流使合金橋體發(fā)生拉弧并引燃點(diǎn)火藥，最終電能轉爆轟實(shí)現能量轉換的目的，也有“換能元”“點(diǎn)火橋”等叫法。相較傳統的橋絲結構，具有如下優(yōu)點(diǎn)： 體積小巧2.0*1.25mm，易貼裝，易集成。成型精度高，發(fā)火一致性好抗機械沖擊，提高發(fā)火可靠性。點(diǎn)火能量低至1mJ、適應廣泛。 

薄膜橋絲采用了特殊的“硬化反射層”結構。使其在發(fā)火面聚焦在180°范圍內，且透過(guò)“硬化反射層”結構將多余的能量反射至點(diǎn)火藥，進(jìn)一步提高了點(diǎn)火效率，實(shí)現使用更少的能量達成同樣的點(diǎn)火做功。相較傳統剛性橋絲點(diǎn)火效率更高，更易激發(fā)噴射型火花。