在極薄的鎳鉻合金材料上采用半導體薄膜蝕刻工藝制程的電阻(2~8Ω),通過(guò)過(guò)載電流使合金橋體發(fā)生拉弧并引燃點(diǎn)火藥,最終電能轉爆轟實(shí)現能量轉換的目的,也有“換能元”“起爆電阻”等叫法。
2020-10-29
在極薄的鎳鉻合金材料上采用半導體薄膜蝕刻工藝制程的電阻(2~8Ω),通過(guò)過(guò)載電流使合金橋體發(fā)生拉弧并引燃點(diǎn)火藥,最終電能轉爆轟實(shí)現能量轉換的目的,也有“換能元”“起爆電阻”等叫法。
2020-10-29
在極薄的鎳鉻合金材料上采用半導體薄膜蝕刻工藝制程的電阻(2~8Ω),通過(guò)過(guò)載電流使合金橋體發(fā)生拉弧并引燃點(diǎn)火藥,最終電能轉爆轟實(shí)現能量轉換的目的,也有“換能元”“起爆電阻”等叫法。
2020-10-29