QSCB0805- 1R0

含能半導體橋絲（QSCB)是在原半導體橋(SCB)結構的基礎上覆合含能層，用以激發(fā)強化其等離子體能量，使其輸出能量可以直接點(diǎn)火起爆藥。

2020-10-29

SCB0805- 1R0

半導體橋絲（SCB) 采用多晶硅材料利用成熟的半導體工藝技術(shù)制作而成,。依靠電流產(chǎn)生的半導體雪崩效應，瞬間將固態(tài)硅升華為等離子態(tài)并作用于火工藥劑，最終產(chǎn)生爆轟。其具用的負阻效應，等離子態(tài)激發(fā)等特點(diǎn)有別于傳統橋絲，使其具用超高的點(diǎn)火效率，從而成為最理想的換能元。

2020-10-29

SCB0805- 1R0

半導體橋絲（SCB) 采用多晶硅材料利用成熟的半導體工藝技術(shù)制作而成,。依靠電流產(chǎn)生的半導體雪崩效應，瞬間將固態(tài)硅升華為等離子態(tài)并作用于火工藥劑，最終產(chǎn)生爆轟。其具用的負阻效應，等離子態(tài)激發(fā)等特點(diǎn)有別于傳統橋絲，使其具用超高的點(diǎn)火效率，從而成為最理想的換能元。

2020-10-29

JMC0805- 8R0

在極薄的鎳鉻合金材料上采用半導體薄膜蝕刻工藝制程的電阻（2~8Ω），通過(guò)過(guò)載電流使合金橋體發(fā)生拉弧并引燃點(diǎn)火藥，最終電能轉爆轟實(shí)現能量轉換的目的，也有“換能元”“起爆電阻”等叫法。

2020-10-29

JMC0805- 6R0

在極薄的鎳鉻合金材料上采用半導體薄膜蝕刻工藝制程的電阻（2~8Ω），通過(guò)過(guò)載電流使合金橋體發(fā)生拉弧并引燃點(diǎn)火藥，最終電能轉爆轟實(shí)現能量轉換的目的，也有“換能元”“起爆電阻”等叫法。

2020-10-29

JMC0805- 2R0

在極薄的鎳鉻合金材料上采用半導體薄膜蝕刻工藝制程的電阻（2~8Ω），通過(guò)過(guò)載電流使合金橋體發(fā)生拉弧并引燃點(diǎn)火藥，最終電能轉爆轟實(shí)現能量轉換的目的，也有“換能元”“起爆電阻”等叫法。

2020-10-29